2025存儲(chǔ)前瞻：用存儲(chǔ)加速AI 高性能SSD普適化

2024-12-28 06:36:37 分類(lèi)：焦點(diǎn) 閱讀(59453)

縱觀2024年，存儲(chǔ)儲(chǔ)加存儲(chǔ)技術(shù)升級(jí)已經(jīng)給AI計(jì)算、前瞻云端應(yīng)用帶來(lái)了諸多便利，用存從年初鎧俠首款量產(chǎn)車(chē)規(guī)級(jí)UFS 4.0推動(dòng)行業(yè)發(fā)展，速A適化到RM、存儲(chǔ)儲(chǔ)加PM和XG系列SSD與HPE攜手登陸國(guó)際空間站，前瞻再到推出容量高達(dá)2Tb的用存第八代BiCS FLASH™ QLC，展示下一代前瞻性的速A適化光學(xué)結(jié)構(gòu)SSD，鎧俠與合作伙伴一起，存儲(chǔ)儲(chǔ)加不僅滿(mǎn)足了時(shí)下的前瞻存儲(chǔ)應(yīng)用需求，并已經(jīng)為未來(lái)存儲(chǔ)鋪墊全新的用存技術(shù)可行性。

更大容量的速A適化存儲(chǔ)

AI計(jì)算對(duì)企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)提出了更為嚴(yán)苛的要求，Tera級(jí)別參數(shù)的存儲(chǔ)儲(chǔ)加大模型可以輕松裝滿(mǎn)一塊30TB的企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)，更大容量的前瞻存儲(chǔ)解決方案勢(shì)在必行。在年初，用存鎧俠正式發(fā)布第八代BiCS FLASH™，并應(yīng)對(duì)市場(chǎng)要求，提供TLC和QLC兩個(gè)系列產(chǎn)品線(xiàn)。

其中QLC能夠更好的在單位空間內(nèi)提升存儲(chǔ)容量，第八代BiCS FLASH™ 2Tb QLC的位密度比鎧俠目前所采用的第五代BiCS FLASH™的QLC產(chǎn)品提高了約2.3倍，寫(xiě)入能效比提高了約70%。不僅如此，全新的QLC產(chǎn)品架構(gòu)可在單個(gè)存儲(chǔ)器封裝中堆疊16個(gè)芯片，為業(yè)界提供領(lǐng)先的4TB容量，并采用更為緊湊的封裝設(shè)計(jì)，尺寸僅為11.5 x 13.5 mm，高度為1.5 mm。

這意味著，未來(lái)采用第八代BiCS FLASH QLC的存儲(chǔ)產(chǎn)品在存儲(chǔ)空間擁有質(zhì)的飛躍，可以輕松將企業(yè)級(jí)SSD和數(shù)據(jù)中心級(jí)SSD容量提升至120TB以上。Pure Storage公司已經(jīng)開(kāi)始對(duì)第八代BiCS FLASH™ 2Tb QLC閃存產(chǎn)品展開(kāi)測(cè)試，并認(rèn)為利用BiCS FLASH™技術(shù)的統(tǒng)一全閃存數(shù)據(jù)存儲(chǔ)平臺(tái)不僅能夠滿(mǎn)足人工智能的嚴(yán)苛要求，還能實(shí)現(xiàn)極具競(jìng)爭(zhēng)力的備份存儲(chǔ)成本。

另外，第八代BiCS FLASH™全面優(yōu)化了邏輯電路，在存儲(chǔ)密度提升50%以上的同時(shí)，NAND I/O速度提升可達(dá)60%以上，可實(shí)現(xiàn)3200MT/s的傳輸速率，并大幅改善的讀取延遲，能夠從數(shù)據(jù)中心、個(gè)人電腦都提供更高的存儲(chǔ)容量，并允許產(chǎn)品騰出更多的空間，留給電池、個(gè)性化，以及輕薄設(shè)計(jì)。

PCIe 5.0與EDSFF加速部署

PCIe 6.0到PCIe 7.0規(guī)范愈發(fā)成熟，PCIe 5.0企業(yè)級(jí)存儲(chǔ)也進(jìn)入到了加速普及的時(shí)間點(diǎn)。在今年10月份，鎧俠正式發(fā)布了全新XD8系列PCIe® 5.0 EDSFF（企業(yè)和數(shù)據(jù)中心標(biāo)準(zhǔn)型）E1.S固態(tài)硬盤(pán)。它是鎧俠第三代E1.S固態(tài)硬盤(pán)，符合PCIe 5.0（32 GT/s x 4）和NVMe 2.0規(guī)范，并支持開(kāi)放計(jì)算項(xiàng)目（OCP）數(shù)據(jù)中心NVMe SSD v2.5規(guī)范。

PCIe 5.0提供了相對(duì)PCIe 4.0翻倍的傳輸效率，其高帶寬和低延遲特性允許SSD在高負(fù)載場(chǎng)合下提供更多并發(fā)訪(fǎng)問(wèn)的可能性，更高的IOPS也允許服務(wù)器在AI、數(shù)據(jù)庫(kù)、虛擬化、多媒體編輯中展現(xiàn)出至關(guān)重要的作用。

不僅如此，當(dāng)EDSFF規(guī)范與PCIe 5.0搭配更是將效率提升了一個(gè)級(jí)別，EDSFF規(guī)范在散熱上具備更高的效率，配合SSD設(shè)計(jì)可以獲得更高的存儲(chǔ)密度，靈活的接口形態(tài)以及對(duì)Compute Express Link™ (CXL™) 的支持，給存儲(chǔ)解決方案提供更多靈活、快速的配置。

剛剛推出的鎧俠XD8系列已經(jīng)做好為下一代存儲(chǔ)提供支持的準(zhǔn)備，它專(zhuān)為云和超大規(guī)模環(huán)境設(shè)計(jì)，滿(mǎn)足數(shù)據(jù)中心對(duì)高性能、高效率和高可擴(kuò)展性的日益增長(zhǎng)的需求。通過(guò)這款新的固態(tài)硬盤(pán)，云服務(wù)提供商和超大規(guī)模企業(yè)能夠優(yōu)化基礎(chǔ)設(shè)施，在保持運(yùn)營(yíng)效率的同時(shí)提供卓越的性能。

打造未來(lái)存儲(chǔ)

在后5G信息和通信時(shí)代，AI已經(jīng)開(kāi)始產(chǎn)生前所未有的數(shù)據(jù)量。鎧俠也在積極探討前瞻性存儲(chǔ)的更多可能性，比如例如基于相變存儲(chǔ)原理打造的XL-FLASH存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存（Storage Class Memory, SCM）與CXL相結(jié)合，開(kāi)發(fā)相較DRAM功耗更低、位密度更高，相較閃存讀取速度更快的存儲(chǔ)器。這不僅會(huì)提高存儲(chǔ)器利用效率，還有助于節(jié)能。

按位密度和讀取時(shí)間劃分的存儲(chǔ)器類(lèi)別

在車(chē)規(guī)級(jí)存儲(chǔ)領(lǐng)域，鎧俠已經(jīng)獲得已獲得汽車(chē)軟件過(guò)程改進(jìn)及能力評(píng)定（Automotive SPICE®，ASPICE）二級(jí)認(rèn)證（CL2）。鎧俠是首家在車(chē)規(guī)級(jí)UFS 4.0產(chǎn)品上獲得該認(rèn)證的公司，意味著鎧俠車(chē)規(guī)級(jí)UFS 4.0已經(jīng)進(jìn)入結(jié)構(gòu)化的項(xiàng)目管理和軟件開(kāi)發(fā)流程，以確保產(chǎn)品質(zhì)量的一致性和可追溯性，不僅滿(mǎn)足汽車(chē)制造商和一級(jí)供應(yīng)商對(duì)車(chē)規(guī)級(jí)UFS 4.0設(shè)備嚴(yán)苛的軟件開(kāi)發(fā)和質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)要求，也意味著在未來(lái)的高性能車(chē)規(guī)級(jí)多媒體系統(tǒng)中，將會(huì)鎧俠車(chē)規(guī)級(jí)UFS 4.0的身影。

另外，鎧俠還宣布開(kāi)發(fā)出OCTRAM（OCTRAM：Oxide-Semiconductor Channel Transistor DRAM，氧化物半導(dǎo)體晶體管 DRAM）技術(shù)，這是一種新型4F² DRAM，由兼具高導(dǎo)通電流和超低漏電流的氧化物半導(dǎo)體晶體管組成。該技術(shù)采用InGaZnO（銦鎵鋅氧化物）晶體管，可將漏電率降低到極低水平，從而降低DRAM功耗。無(wú)論是SSD獨(dú)立緩存還是內(nèi)存產(chǎn)品，都有機(jī)會(huì)通過(guò)這項(xiàng)技術(shù)獲得高性能、低功耗的產(chǎn)品表現(xiàn)。

InGaZnO晶體管的(a)導(dǎo)通和(b)漏電流特性

顯然2025年依然是充滿(mǎn)了技術(shù)挑戰(zhàn)和技術(shù)創(chuàng)新的一年，鎧俠與合作伙伴們已經(jīng)做好了面對(duì)新挑戰(zhàn)的準(zhǔn)備，全新的存儲(chǔ)技術(shù)和解決方案將會(huì)在AI加速，云端計(jì)算，虛擬化應(yīng)用，數(shù)據(jù)中心部署等商業(yè)場(chǎng)景中大放異彩，同時(shí)筆記本電腦、手機(jī)、XR設(shè)備也將因?yàn)榇鎯?chǔ)芯片的性能提升和尺寸縮小，擁有更多可能性，為用戶(hù)提供更好的存儲(chǔ)體驗(yàn)。