12月17日消息，打破電獨(dú)電拿單據(jù)媒體報(bào)道，臺(tái)積通芯聯(lián)電奪得高通高性能計(jì)算（HPC）產(chǎn)品的霸格先進(jìn)封裝大單，預(yù)計(jì)將應(yīng)用在AI PC、局聯(lián)進(jìn)封車用以及AI服務(wù)器市場(chǎng)，下高甚至包括HBM的片先整合。

同時(shí)，打破電獨(dú)電拿單這也打破了先進(jìn)封裝代工市場(chǎng)由臺(tái)積電、臺(tái)積通芯英特爾、霸格三星等少數(shù)廠商壟斷的局聯(lián)進(jìn)封態(tài)勢(shì)。

聯(lián)電未對(duì)單一客戶做出回應(yīng)，下高但強(qiáng)調(diào)先進(jìn)封裝是片先公司重點(diǎn)發(fā)展的方向，并會(huì)與智原、打破電獨(dú)電拿單矽統(tǒng)等子公司及存儲(chǔ)供應(yīng)伙伴華邦共同打造先進(jìn)封裝生態(tài)系統(tǒng)。臺(tái)積通芯

目前，霸格聯(lián)電在先進(jìn)封裝領(lǐng)域主要供應(yīng)中介層（Interposer），應(yīng)用于RFSOI制程，對(duì)營(yíng)收貢獻(xiàn)有限，不過(guò)高通的這一訂單為聯(lián)電打開(kāi)了新的商機(jī)。

知情人士透露，高通計(jì)劃以定制化的Oryon架構(gòu)核心委托臺(tái)積電量產(chǎn)，并委托聯(lián)電進(jìn)行先進(jìn)封裝，預(yù)計(jì)將采用聯(lián)電的WoW Hybrid bonding制程。

分析認(rèn)為，高通采用聯(lián)電的先進(jìn)封裝技術(shù)，將結(jié)合PoP封裝，取代傳統(tǒng)錫球焊接封裝模式，縮短芯片間信號(hào)傳輸距離，提升芯片計(jì)算效能。

聯(lián)電具備生產(chǎn)中介層的設(shè)備和TSV制程技術(shù)，滿足了先進(jìn)封裝制程量產(chǎn)的先決條件，這也是高通選擇聯(lián)電的主要原因。

高通采用聯(lián)電先進(jìn)封裝制程的新款高性能計(jì)算芯片有望在2025年下半年開(kāi)始試產(chǎn)，并在2026年進(jìn)入量產(chǎn)階段。

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