12月19日消息，俄羅據(jù)報(bào)道，斯宣俄羅斯已公布自主開(kāi)發(fā)EUV（極紫外光刻）光刻機(jī)的布自路線圖，目標(biāo)是研E宜更比ASML的光刻機(jī)更便宜、更容易制造。光刻更便

據(jù)悉，機(jī)比俄羅斯的容易自主光刻機(jī)采用11.2nm的激光光源，而非ASML標(biāo)準(zhǔn)的制造13.5nm。這種波長(zhǎng)將與現(xiàn)有的俄羅EUV設(shè)備不兼容，需要俄羅斯開(kāi)發(fā)自己的斯宣光刻生態(tài)系統(tǒng)，這可能需要十年或更長(zhǎng)時(shí)間。布自

包括電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化（EDA）工具也需要進(jìn)行更新。研E宜更雖然現(xiàn)有EDA工具仍可完成邏輯合成、光刻更便布局和路由等基本步驟，機(jī)比但涉及曝光的容易關(guān)鍵制程，如光罩?jǐn)?shù)據(jù)準(zhǔn)備、光學(xué)鄰近校正（OPC）和分辨率增強(qiáng)技術(shù)（RET），則需要重新校準(zhǔn)或升級(jí)為適合11.2nm的新制程模型。

該項(xiàng)目計(jì)劃由俄羅斯科學(xué)院微結(jié)構(gòu)物理研究所的Nikolay Chkhalo領(lǐng)導(dǎo)，目的是制造性能具競(jìng)爭(zhēng)力且具成本優(yōu)勢(shì)的EUV光刻機(jī)，以對(duì)抗ASML的設(shè)備。

Chkhalo 表示，11.2nm波長(zhǎng)的分辨率提高了20%，可以提供更精細(xì)的細(xì)節(jié)，同時(shí)簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)并降低光學(xué)元件的成本。

這種調(diào)整顯著減少了光學(xué)元件的污染，延長(zhǎng)了收集器和保護(hù)膜等關(guān)鍵部件的使用壽命。

俄羅斯的光刻機(jī)還可使用硅基光阻劑，預(yù)期在較短波長(zhǎng)下將具備更出色的性能表現(xiàn)。 盡管該光刻機(jī)產(chǎn)量?jī)H為ASML設(shè)備的37%，因?yàn)槠涔庠垂β蕛H3.6千瓦，但性能足以應(yīng)付小規(guī)模芯片生產(chǎn)需求。

據(jù)報(bào)道，俄羅斯光刻機(jī)的開(kāi)發(fā)工作將分為三個(gè)階段，第一階段將聚焦于基礎(chǔ)研究、關(guān)鍵技術(shù)識(shí)別與初步元件測(cè)試。

第二階段將制造每小時(shí)可處理60片200毫米晶圓的原型機(jī)，并整合至國(guó)內(nèi)芯片生產(chǎn)線。

第三階段的目標(biāo)是打造一套可供工廠使用的系統(tǒng)，每小時(shí)可處理60片300毫米晶圓。

目前還不清楚其光刻機(jī)將支持哪些制程技術(shù)，路線圖也未提到各階段完成的時(shí)間表。