12月18日消息，星搶據(jù)韓國媒體報道，跑第三星電子正加速布局下一代DRAM技術(shù)，代還代在第六代DRAM尚未量產(chǎn)之際，沒量已著手建立第七代（1d）DRAM的產(chǎn)下存測測試線。

報道稱，試線三星已在平澤P2廠建置10納米級的已開第七代DRAM測試線，并預(yù)計明年第一季度完全建成，星搶以提高良率并拉開與競爭對手的跑第技術(shù)差距。

這條被稱為“單路徑線”的代還代測試線，將用于測試新半導(dǎo)體產(chǎn)品的沒量量產(chǎn)潛力，一旦下一代芯片性能在研發(fā)階段確定，產(chǎn)下存測就會在此引進(jìn)晶圓，試線開始提高量產(chǎn)良率。已開

目前尚不確定平澤10納米級第七代DRAM廠房的星搶規(guī)模，但通常安裝測試線每月可處理約1萬片晶圓。

三星計劃在2026年前量產(chǎn)第七代DRAM，而其前身第六代（1c）DRAM計劃明年（2025年）量產(chǎn)，因此，第七代測試線與第六代DRAM量產(chǎn)的準(zhǔn)備工作同步進(jìn)行。

業(yè)界認(rèn)為，三星在第六代DRAM還未進(jìn)入量產(chǎn)階段前就為第七代建置廠房，是為了明年重奪優(yōu)勢的起步年所進(jìn)行的投資。

三星HBM市場被第二大公司SK海力士奪走，10納米級第六代內(nèi)存的開發(fā)速度也落后于對手，為了奪回領(lǐng)導(dǎo)地位，三星必須加快產(chǎn)品開發(fā)速度。