12月9日消息，國產(chǎn)針對外界的存儲長江存儲傳聞，長江存儲公開回應(yīng)稱，沒打他們沒有上市的算上市更打算。

長江存儲發(fā)布聲明稱，借殼近期多家媒體捏造、國產(chǎn)散布和傳播長江存儲“借殼上市”的存儲長江存儲不實傳聞。為澄清事實，沒打我司發(fā)表聲明如下：

一、算上市更長江存儲從無任何“借殼上市”的借殼意愿。     

二、國產(chǎn)長江存儲與“萬潤科技”等上市公司無直接業(yè)務(wù)合作。存儲長江存儲

三、沒打請相關(guān)單位自重并立即停止一切失實報道。算上市更我司將保留追究相關(guān)單位法律責(zé)任的借殼權(quán)利。

作為國產(chǎn)存儲之光，之前有消息稱長江存儲在面臨美國出口限制和被列入實體清單的雙重壓力下，已成功采用國產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備替代部分美系設(shè)備。

長江存儲自研Xtacking架構(gòu)可讓3D NAND的層數(shù)堆疊到232層，即使與美光、三星和SK海力士等知名制造商相比，也具有極強的競爭優(yōu)勢。

據(jù)悉，長江存儲已經(jīng)使用中微半導(dǎo)體設(shè)備公司的蝕刻設(shè)備、北方華創(chuàng)的沉積與蝕刻設(shè)備，以及拓荊科技的沉積設(shè)備，成功制造出3D NAND閃存芯片。