11月16日消息，新專日前，開攻克硅華為一項全新的基負(fù)極電積膨硅基負(fù)極材料專利公開，名稱為《硅基負(fù)極材料及其制備方法、池體電池和終端》。脹難

該專利主要解決了硅基材料因膨脹效應(yīng)過大導(dǎo)致電池循環(huán)性能低的新專問題，提高負(fù)極的開攻克硅循環(huán)穩(wěn)定性。

專利顯示，基負(fù)極電積膨采用該發(fā)明實施硅基負(fù)極材料制備的池體電池相對現(xiàn)有傳統(tǒng)硅氧/碳復(fù)合負(fù)極材料制備的電池，其循環(huán)性能得到明顯提升，脹難充滿電狀態(tài)時電極片的新專膨脹率明顯降低，循環(huán)600次后電芯的開攻克硅膨脹率明顯降低。

這是基負(fù)極電積膨由于其硅基負(fù)極材料通過使高硅氧比硅基顆粒分散在低硅氧比硅基基體中，實現(xiàn)了不同硅氧濃度限域分布，池體所得硅基負(fù)極材料兼顧高容量和高循環(huán)穩(wěn)定性。脹難

此外，高硅氧比硅基顆粒表面導(dǎo)電層的設(shè)置可以提高高硅氧比硅基顆粒的電導(dǎo)率，提高含硅基體和硅基顆粒兩種不同硅氧比結(jié)構(gòu)間的界面電導(dǎo)率。

同時可以在高硅氧比硅基顆粒表面形成限制層，有效降低脫嵌鋰造成的體積膨脹。

本發(fā)明實施例還提供了該硅基負(fù)極材料的制備方法、以及包含該硅基負(fù)極材料的電池和終端。