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今年9月，片需臺積電（TSMC）從ASML手上接收了其首臺High-NA EUV光刻機，求刺移送至自己的激臺積電加速全球研發(fā)中心進行研究，以滿足A14等未來先進工藝的片需開發(fā)需求。傳聞臺積電董事長兼首席執(zhí)行官魏哲家親自與ASML談判并達成了一項協(xié)議，求刺通過購買新設(shè)備和出售舊型號相結(jié)合的激臺積電加速方式，將整體價格降低了近20%。片需

據(jù)報道，求刺近期臺積電3nm產(chǎn)能需求旺盛，激臺積電加速大量客戶下單使得產(chǎn)能處于滿載狀態(tài)，片需同時即將到來的求刺2nm工藝也受到了客戶的歡迎，臺積電正在考慮繼續(xù)擴大2nm產(chǎn)能，激臺積電加速滿足以AI芯片為首的片需增長需求。隨著客戶進一步推動人工智能業(yè)務(wù)發(fā)展，求刺在市場需求刺激下，激臺積電加速臺積電也加快了High-NA EUV光刻機的部署，以便更早地熟悉新技術(shù)。

根據(jù)臺積電的路線圖，High-NA EUV光刻機將集成到A14 工藝，預計2027年進入量產(chǎn)階段。在此之前，需要進行廣泛的測試、微調(diào)和流程優(yōu)化，用于1nm階段的制程工藝中。隨著半導體制造工藝日益復雜，成本也隨著每個制程節(jié)點的開發(fā)推進而上漲，每臺High-NA EUV光刻機的價格高達3.84億美元。盡管如此，臺積電在技術(shù)上的領(lǐng)先有望吸引更多尋找先進芯片制造能力的高端客戶。

有分析師表示，加快High-NA EUV技術(shù)的開發(fā)可能會擴大臺積電與競爭對手之間的差距，尤其是三星。臺積電在2019年推出了N7+工藝，首次使用了EUV光刻機，當時大概有10臺。臺積電接下來迅速擴大了EUV光刻技術(shù)的應(yīng)用，也購買了更多的設(shè)備，EUV光刻機的銷量從2019年至2023年增長了10倍，而臺積電占據(jù)了其中56%的裝機量。

臺積電在將新技術(shù)集成到大批量生產(chǎn)之前，會根據(jù)新技術(shù)的成熟度、成本和潛在客戶利益進行仔細評估。這是一種系統(tǒng)化，并以客戶為中心的方法，到了High-NA EUV時代也會如此。