11月11日消息，臺積據(jù)報道，電暫臺積電首席執(zhí)行官魏哲家近期透露，海外核心客戶對2納米（nm）技術(shù)的生產(chǎn)詢問熱度顯著超過3納米，預示著2nm技術(shù)更受市場青睞，芯片并展望臺積電在未來五年內(nèi)能實現(xiàn)持續(xù)且穩(wěn)健的技術(shù)增長態(tài)勢。

業(yè)界動態(tài)指出，外移受監(jiān)管政策制約，臺積盡管臺積電正積極在美國、電暫歐洲及日本布局建設(shè)采用先進制程技術(shù)的海外核心晶圓廠，其核心的生產(chǎn)最尖端半導體生產(chǎn)技術(shù)卻無法遷移至海外生產(chǎn)基地。這一限制源于當?shù)氐男酒杀Ｗo措施，旨在防止核心技術(shù)外流。技術(shù)

臺積電方面明確表示，外移其海外工廠若要涉足2nm芯片的臺積生產(chǎn)，仍需數(shù)年時間的籌備與規(guī)劃，確保全球領(lǐng)先的工藝技術(shù)繼續(xù)保留在本土。

具體到臺積電在美國亞利桑那州的布局，首座晶圓廠正穩(wěn)步推進，預計將于2025年初正式投產(chǎn)，率先應(yīng)用4nm制程技術(shù)，月產(chǎn)能預計達到2萬至3萬片，標志著臺積電海外先進制程生產(chǎn)的里程碑。

緊接著，第二座晶圓廠將采用3nm制程，規(guī)劃月產(chǎn)能為2.5萬片，預計兩廠到2028年合計月產(chǎn)能將攀升至6萬片。至于第三座晶圓廠，更是瞄準了2nm或更先進的技術(shù)節(jié)點，計劃在2030年前完成建設(shè)。這一系列布局不僅彰顯了臺積電在全球半導體產(chǎn)業(yè)的領(lǐng)導地位，也為其長遠發(fā)展奠定了堅實基礎(chǔ)。