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芯片設(shè)計(jì)缺陷致良品率低 英偉達(dá)否認(rèn)與臺(tái)積電關(guān)系緊張

發(fā)表于 2024-12-29 14:15:18 來(lái)源:下愚不移網(wǎng)

日前據(jù)報(bào)道有傳言稱,芯片系緊英偉達(dá)最新的設(shè)計(jì)Blackwell架構(gòu)GPU在正式發(fā)貨前遇到了一些問(wèn)題,導(dǎo)致了較低的缺陷良品率。這讓英偉達(dá)與臺(tái)積電之間的致良張關(guān)系受到一些影響。

然而,品率英偉達(dá)CEO黃仁勛迅速對(duì)此進(jìn)行了澄清。低英電關(guān)他明確表示,偉達(dá)Blackwell架構(gòu)的臺(tái)積產(chǎn)品確實(shí)存在一個(gè)設(shè)計(jì)上的小瑕疵,這個(gè)瑕疵雖對(duì)芯片的芯片系緊基本功能不構(gòu)成影響,但卻不可避免地降低了良品率。設(shè)計(jì)黃仁勛強(qiáng)調(diào),缺陷這是致良張英偉達(dá)單方面的問(wèn)題,與臺(tái)積電毫無(wú)干系,品率且不會(huì)影響雙方未來(lái)的低英電關(guān)合作。

芯片設(shè)計(jì)缺陷致良品率低 英偉達(dá)否認(rèn)與臺(tái)積電關(guān)系緊張

值得注意的偉達(dá)是,基于Blackwell架構(gòu)的GPU所打造的B100和B200,是首批采用臺(tái)積電先進(jìn)的CoWoS-L封裝技術(shù)的產(chǎn)品。

它們通過(guò)RDL中間層與LSI橋接器巧妙地連接各個(gè)小芯片,實(shí)現(xiàn)了令人矚目的約10Tb/s數(shù)據(jù)傳輸速率。

摩根士丹利分析師的最新報(bào)告更是為英偉達(dá)的前景添上了濃墨重彩的一筆。報(bào)告指出,英偉達(dá)未來(lái)一年內(nèi)Blackwell架構(gòu)的訂單已被搶購(gòu)一空,其中不乏有AI公司一次性預(yù)訂超過(guò)10萬(wàn)片芯片,市場(chǎng)需求可見(jiàn)一斑。

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