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英偉達(dá)加速認(rèn)證三星HBM內(nèi)存芯片:掀起GPU技術(shù)革命浪潮

發(fā)表于 2024-12-29 13:30:28 來源:下愚不移網(wǎng)

11月24日綜合報(bào)道,英偉英偉達(dá)CEO黃仁勛近日在接受媒體采訪時透露,達(dá)加公司正在加速對三星電子的證星人工智能內(nèi)存芯片——HBM(High Bandwidth Memory,高帶寬內(nèi)存)進(jìn)行認(rèn)證。存芯這一消息引發(fā)了業(yè)界廣泛關(guān)注。片掀

此前,技術(shù)早在10月下旬,革命三星電子已對外釋放信號,浪潮稱其HBM芯片在英偉達(dá)的英偉質(zhì)量測試中取得了顯著進(jìn)展。

英偉達(dá)加速認(rèn)證三星HBM內(nèi)存芯片:掀起GPU技術(shù)革命浪潮

然而,達(dá)加在本周早些時候與分析師的證星財(cái)報(bào)后電話會議上,黃仁勛雖提及了多個主要合作伙伴,存芯卻未直接點(diǎn)名三星,片掀一度引發(fā)外界對于雙方合作進(jìn)展的技術(shù)猜測。

不過,革命黃仁勛隨后的表態(tài)明確了英偉達(dá)與三星在HBM內(nèi)存芯片合作上的積極態(tài)度。

據(jù)此前公開報(bào)道,三星電子內(nèi)存業(yè)務(wù)副總裁Kim Jae-june曾表示,三星正在積極擴(kuò)大8層和12層HBM3E芯片的銷售,并致力于改進(jìn)以滿足一家“大客戶”的下一代GPU計(jì)劃,這家“大客戶”被普遍認(rèn)為是指英偉達(dá)。

三星電子不僅已經(jīng)在量產(chǎn)8層和12層HBM3E產(chǎn)品,還在質(zhì)量測試方面取得了“有意義的進(jìn)展”,并透露了開發(fā)第6代HBM4產(chǎn)品的計(jì)劃,預(yù)計(jì)從明年下半年開始批量生產(chǎn)。

對于英偉達(dá)而言,與三星的合作無疑將增強(qiáng)其GPU在人工智能處理領(lǐng)域的性能優(yōu)勢。

隨著人工智能技術(shù)的快速發(fā)展,高性能計(jì)算需求日益增長,而HBM內(nèi)存芯片憑借高帶寬、低延遲的特性,成為提升GPU性能的關(guān)鍵要素。

英偉達(dá)選擇對三星的HBM內(nèi)存芯片進(jìn)行認(rèn)證,旨在能提升產(chǎn)品競爭力,更好地滿足市場需求。

同時,在這場互利共贏的合作中,三星將有望贏得更為廣闊的市場機(jī)遇與業(yè)務(wù)增長新空間。

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